晶闸管综合参数测试仪是用于测量晶闸管的通态，断态门极常用静态参数的综合性参数测量仪器。参数测量原理符合GB4024-83半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法有关规定。本仪器的设计兼顾了半导体闸流管断态和反向伏安特性的测试方法，SJ1106-76半导体闸流管通态特性的测试方法，SJ1107-76半导体闸流管控制极触发电压，触发电流的测试方法，SJ1110-76半导体闸流管维持电流的测试方法，JB1144-75、JB1143-75的基本要求，在测量电源及参数指示电表的设计上满足上述标准中对电量及峰值测量的要求，为此具有较强的适应能力，可以满足不同使用要求的参数测量。本仪器的图示装置可以显示被测管的伏安特性曲线。
一、技术指标：
本仪器可以测量下列参数
1、通态峰值电压  VTM
   测量范围  0~5V      误差≤+5%
2、通态峰值电流  ITM
   测量范围  0~20A     误差≤+5%
3、断态重复峰值电压  VDRM（含VDSM）
   测量范围  0~2000V   误差≤+5%
4、断态重复峰值电流  IDRM
   测量范围  0.1~20mA  误差≤+5%
5、反向重复峰值电压  VRRM（含VRSM）
   测量范围  0~2000V   误差≤+5%
6、反向重复峰值电流  IRRM
   测量范围  0.1~20mA  误差≤+5%
7、门极（控制极）触发电压  VCT
   测量范围  0~3V      误差≤+5%
8、门极（控制极）触发电流  IGT
   测量范围  10~200mA  误差≤+5%
9、维持电流  IH
   测量范围  10~200mA  误差≤+5%
二、使用条件
使用仪器时，应符合下列条件
环境温度：  0~40℃
大气压力：  86~106Kpa
相对湿度：  当温度为30℃时，不大于80%
电源电压：  220V + 10%
电源频率：  50HZ + 2HZ
仪器在使用中，周围应没有强磁场的干扰，以及有害气体的腐蚀。