HEM-200 高低温霍尔效应测试系统
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HEM-200 高低温霍尔效应测试系统
关键词：浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数，半导体
系统组成：
HEM-200 高低温霍尔效应测试系统本仪器系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、矩阵卡、霍尔效应样品支架、标准样品、系统软件组成。本套系统测试应用的是的KEITHLEY 进口测试源表，配合配套的低延迟宽带宽的矩阵卡，极大提高了样品的供电电流和测试样品的霍尔电压的量程和精度，宽电流供电和宽电压测试范围可以覆盖市面上绝大多数的半导体器件。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度 (Sheet Carrier Concentration)、迁移率 (Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻 (Magnetoresistance)等等。
系统参数:
我们可提供各类霍尔效应测试系统用于教学和研究
可测试材料:
物理学参数 | 载流子浓度(Carrier Density) | 103cm-3~ 1023cm-3 |
迁移率(Mobility) | 0.1cm2/volt*sec ~108cm2/volt*sec | |
电阻率范围(Resistivity) | 10-70hm*cm~ 10100hm*cm | |
霍尔电压(Hall voltage) | 10nV~ 200V | |
霍尔系数 | ±10-5~ 1027cm-3/C | |
可测试材料类 | 半导体材料 | SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,HgCdTe 和铁氧体材料等 |
低阻抗材料 | 石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等 | |
高阻抗材料 | 半绝缘的 GaAs，GaN，CdTe 等 | |
材料导电粒子 | 材料的P型与N型测试 | |
磁铁类型 | 磁场可变电磁铁 | |
磁场环境 | 磁场大小 | 2000mT(极头间距为:10mm) 1500mT(极头间距为:20mm ) 1000mT(极头间距为:30mm ) 800mT(极头间距为:40mm) 600mT(极头间距为:50mm) |
霍尔效应测试磁场 | 霍尔效应中极头间距为 30mm，此时磁场为1000mT | |
均匀区 | 1% | |
最小分辨率 | 0.1Gs | |
可选磁环境 | 可根据客户需求定制相关磁性大小的电磁铁 | |
电学参数 | 电流源 | ±0.1nA—±1000mA |
电流源分辨率 | 0.01nA | |
测量电压 | ±10nV—±200V | |
温度环境 | 80K~500K | |
控温精度 | 0.1K | |
其他配件 | 遮光性 | 外部安装遮光部件，使得测试材料更加稳定 |
样品尺寸 | 10mm*10mm(标准) 16mm*16mm | |
箱式机柜 | 600*600*1000mm | |
测试样片 | 提供中国科学院半导体所霍尔效应 标准测试样片及数据：1 套 （硅、锗、砷化镓、锑化铟） | |
制作欧姆接触 | 电烙铁、铟片、焊锡、漆包线等 |