MOS管参数测试仪SC2015
价格:电议
地区:陕西省 西安市
手 机:17795792519

MOS管参数测试仪SC2015

一、产品简介/特点

MOS管参数测试仪SC2015主要用于中小电子产品企业对场效应管或IGBT的批量测量,筛选,非常适合来料检验使用。
1、采用高精度AD,满足测量精度,而高速微处理器和电子开关,使测量工作迅速、高效、宁静。采用国际先进脉冲测量法,可以提供10A~75A以上的测试电流,而不会使被测管子发热。有自动均流功能,确保被测管安全。
2、有自检功能、测量判断功能以及故障报警指示功能,当不是Vmos管时或错插等,测量不能继续。在测量前后,测量插座栅源之间是短路状态,以确保被测量管插入或拔出管座时的安全。
3、有20A~150A容量选择,即便是选错电流档用大电流测量小容量管子,也不会损害被测管。
4、您可以按需要设定分选参数范围。可设定的有:开启电压Ut、跨导Gfs、通态电阻Ron以及极间电容Cir的下限和上限。对于超限的测量,蜂鸣器会报警,并且哪个参数超限,会闪烁提示,用户可以不大理会符合标准的参数具体数据,只在报警时注意闪烁的参数,这样极大的方便了工业批量测量。
5、使用简单,不需要专业知识。

6、规格尺寸240*350*130mm(宽*深*高),桌面小台式结构,采用铝合金冷拉型板为框架,支脚可调。

7、工作台有TO220和3P插座,面板设有容量选择,以及220/3P选择,方便用户使用。
二、性能指标:
1、测量VMOS管可同时显示:
 通态电阻Ron:1~999mΩ (超过999 mΩ时,自动转为9.99Ω挡)
 跨导Gfs:0~99.9S

耐压Bv:0~1999V
 开启电压Ut:0~12V
 极间电容Cir:0.1~9.9 (np)

通态电流Id:0-129.9V
2、如果您需要,通过辅助功能键,还可以得到:
 a、Cir 1% nP精度;
 b、Ut 1%V 精度;
 c、测量Ron时的: Ids(max A),Vds(min V);
 d、以及测量Ggs时:Ids(A),Vds(V),Vgs(V);
3、10位LED显示。
4、设备供电160V~230V 正常工作。
三、测试参数:

(1)二极管Diode

静态参数:BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降;

(2)三极管Transistor

静态参数:BVCES/集射极击穿电压,VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VCESAT/饱和压降

(2)场效应管MOSFET

静态参数:BVDSS/漏源极击穿电压,Ut/开启电压,Ids/漏源极漏电流,Vf/二极管正向压降;Ron/导通内阻,Gfs/跨导,Cir/极间电容

(3)晶体管IGBT

静态参数:BVCES/集射极击穿电压,VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降;VCESAT/饱和压降

应用领域:

电子厂的功率器件来料检验、器件厂的产品分选、电子产品研发的选型配对、电子产品维修检验等。