电压监测仪HD06-DT1-220V*3/C库号D238274 

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CPU：采用Inter公司的80C196KC(KB)单片十六位微处理器，工作在12MHz主频下，工作的CPU确保仪表多可以同时监测统计三路电网电压质量。

RAM：采用NV-SRAM 内置高能锂电池，断电数据保护十年；采用铁电存储器（FRAM），具有写入、低功耗、断电保存数据等特性。

时钟芯片：DS12C887 内置高能锂电池，断电数据保护十年。

采样电路：采用高性能的美国AD公司单片真值转换电路。

工作电源：AC220V，与路信号电压并接。

电源功耗：≤3VA。

信号输入回路功耗:≤0.6VA。

时钟误差：≤±1s/24h。

外型尺寸：（l×b×h）160×236×80mm；安装开孔尺寸：150+1×70+1mm

CPU：采用Inter公司的80C196KC(KB)单片十六位微处理器，工作在12MHz主频下，工作的CPU确保仪表多可以同时监测统计三路电网电压质量。

RAM：采用NV-SRAM 内置高能锂电池，断电数据保护十年；采用铁电存储器（FRAM），具有写入、低功耗、断电保存数据等特性。

时钟芯片：DS12C887 内置高能锂电池，断电数据保护十年。

采样电路：采用高性能的美国AD公司单片真值转换电路。

工作电源：AC220V，与路信号电压并接。

电源功耗：≤3VA。

信号输入回路功耗:≤0.6VA。

时钟误差：≤±1s/24h。

外型尺寸：（l×b×h）160×236×80mm；安装开孔尺寸：150+1×70+1mm

CPU：采用Inter公司的80C196KC(KB)单片十六位微处理器，工作在12MHz主频下，工作的CPU确保仪表多可以同时监测统计三路电网电压质量。

RAM：采用NV-SRAM 内置高能锂电池，断电数据保护十年；采用铁电存储器（FRAM），具有写入、低功耗、断电保存数据等特性。

时钟芯片：DS12C887 内置高能锂电池，断电数据保护十年。

采样电路：采用高性能的美国AD公司单片真值转换电路。

工作电源：AC220V，与路信号电压并接。

电源功耗：≤3VA。

信号输入回路功耗:≤0.6VA。

时钟误差：≤±1s/24h。

外型尺寸：（l×b×h）160×236×80mm；安装开孔尺寸：150+1×70+1mm

CPU：采用Inter公司的80C196KC(KB)单片十六位微处理器，工作在12MHz主频下，工作的CPU确保仪表多可以同时监测统计三路电网电压质量。

RAM：采用NV-SRAM 内置高能锂电池，断电数据保护十年；采用铁电存储器（FRAM），具有写入、低功耗、断电保存数据等特性。

时钟芯片：DS12C887 内置高能锂电池，断电数据保护十年。

采样电路：采用高性能的美国AD公司单片真值转换电路。

工作电源：AC220V，与路信号电压并接。

电源功耗：≤3VA。

信号输入回路功耗:≤0.6VA。

时钟误差：≤±1s/24h。

外型尺寸：（l×b×h）160×236×80mm；安装开孔尺寸：150+1×70+1mm