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高真空磁控溅射仪单靶标配KM1-SD-650MH库号D403191
高真空磁控溅射仪单靶标配KM1-SD-650MH库号D403191
高真空磁控溅射仪单靶标配KM1-SD-650MH库号D403191
高真空磁控溅射仪单靶标配KM1-SD-650MH库号D403191
原理:
溅射镀膜的原理是稀薄气体在
异常辉光放电产生的等离子体在电
场的作用下,对阴极靶材表面进行轰
击,把靶材表面的分子、原子、离子
及电子等溅射出来,被溅射出来的粒
子带有一定的动能,沿一定的方向射
向基体表面,在基体表面形成镀层。
溅射时产生的快电子在正交的电磁
场中作近似摆线运动,增加了电子行
程,提高了气体的离化率,同时高能
量粒子与气体碰撞后失去能量,基体
温度较低,在不耐温材料上可以完成
镀膜。
用途:
KM1-SD-650MH 高真空磁控溅射镀膜仪是袖珍型磁控溅射
设备,主要由溅射真空室、磁控溅射靶、样品台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测
量及电控系统等部分组成。高真空溅射可用于金属、半导体、绝缘体等多种薄膜材料的
制备,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等点,可用于大专、科研
院所的薄膜材料研究、制备。
参数:
仪器主机尺寸: 长 610mm×宽 420mm×高 220mm(注:含腔体总高 490mm)
工作腔室尺寸: 标配:玻璃腔体(高度可选):直径 260mm×高 200mm(外尺寸)
直径 240mm×高 200mm(内尺寸)
选配:金属腔体:直径 260mm×高 270mm(外尺寸 )
直径 210mm×高 270mm(内尺寸)
靶头: 标配:单靶
选配:双靶(双靶仪器主机尺寸和工作腔体尺寸会随之增大)
靶材尺寸: 直径 50mm×厚 3mm(因靶材材质不同厚度有所不同)
靶材料: 标配一块直径 50mm×3mm 的铜靶(可选配多种靶材)
靶枪冷却方式: 水冷
真空系统: 抗冲击涡轮分子泵,抽速为 300L/s
前级机械泵: 抽速为 4L/s,带防返油电磁阀及油污过滤器
真空测量: 采用复合真空计监测真空
真空度: 5×10
-5Pa(10 分钟可到 9×10
-4Pa)
电源: 标配:直流恒流电源:输入电压:220V
输出电压:0-600v
输出电流:0-1.6A
选配:射频功率电源:功率 1000W,配射频匹配器。
载样台: 直径 200mm,可根据客户需求定制载样台。
工作气体: Ar 等惰性气体(需自备气瓶及减压阀)
气路: 溅射真空度手动调整(可选配气体质量流量计)
水冷: 自循环冷却水机
电源电压: 220V 50Hz
启动功率 3KW
3KW
220V 50Hz
自循环冷却水机
0-1.6A
0-600v