TDZT-04C铁电性能综合测试系统

关键词:铁电材料参数测试仪,铁电子材料测试仪,铁电测试仪

相关知识背景

目前按产生传感、驱动功能的机制, 铁电陶瓷可分为3种

层状铁电陶瓷

研究较多，并且用于制备铁电陶瓷材料的是钙钛矿结构的锆钛酸铅。

简称PZT系列。此系列的突出优点是剩余极化较大Pr大约10~35 μC/cm、热处理温度较低(600℃左右)。但是随着研究的深入人们发现在经过累计的极化反转之后PZT系列性能退化，主要表现在出现高的漏电流和较严重的疲劳问题另外铅的挥发对人体也有害。因此研究和开发性能优良且无铅的铁电陶瓷具有重要的现实意义。而铋系层状钙钛矿结构材料属于铁电材料类且性能较好又不含铅，因此受到人们的广泛关注。该材料通式是(Bi2O2) An-1BnO3n+1)其中A 为+1、+2或+3价离子，B 为+ 3、+ 4 或+ 5价离子，n 为类钙钛矿层中氧八面体BO6层数，其中类钙钛矿层(An-1BnO3n+1)与铋氧层(Bi2O2)交替排列。SrBi4Ti4O15，简称SBTi，n=4 、n = 5或n = 7，陶瓷是铋系层状钙钛矿结构铁电陶瓷材料。研究发现，其剩余极化较大单晶极化强度方向沿a 或b轴时2Pr=58μC/cm2

[1]热稳定性能也比较好，居里温度为520℃。

[2]另外SBTi 陶瓷又是非铅系列材料是一种比较有前途的铁电陶瓷材料。但是由于Bi容易挥发，在材料制备和使用过程中容易成铋空位，从而形成氧空位，影响材料的抗疲劳性能和铁电性能。为了满足实际应用的需要，需要提高和改进该系列材料的铁电性能。因此，国内外研究者在改变制备途径、制备方法以及调整材料的组分等方面作了不少研究。

弛豫型铁电陶瓷

弛豫型铁电体(relaxation ferroelectrics)简称RF。是指顺电-铁电转变属于弥散相变的一类铁电材料?它同时具有铁电现象和弛豫现象。与典型铁电体相比，弛豫型铁电体的一个典型特征是复介电常数，ε*(ω) =ε'(ω) ?ε"(ω)，ω为角频率的实部，ε'(ω)随温度变化呈现相对宽且变化平缓的峰，其ε'(ω)值对应的温度Tm随ω的增加而向高温移动。该特征与结构玻璃(structureglass)化转变、自旋玻璃(spin glass)化转变的特征极为相似。所以，弛豫型铁电体又被称为极性玻璃(polar glass)，相应的弛豫铁电相变又被称为极性玻璃化转变。迄今为止，虽然人们对弛豫铁电相变进行了大量的实验测量和理论探索，但是仍然没有被普遍接受的弛豫铁电相变模型所以对弛豫铁电相变机制的研究一直是该领域研究的热点问题之一。另外，现有的一些弛豫铁电体具有优良的铁电、压电和热释电性能，因而具有广泛而重要的应用。

因此，对现有弛豫铁电体性能的优化以及新型弛豫铁电体的合成将具有重要的潜在应用价值，同时也是该领域的另一热点问题。SrTiO3是一种无污染的功能陶瓷材料，因此以SrTiO3为基础合成的新材料有产业的优势。研究发现在SrTiO3中引入Bi离子产生了典型的铁电弛豫行为，并对其进行了介电谱测量，但是低测量频率为100Hz。而一般认为，玻璃化转变的特征时间50~102s，所以在更低的频率范围内对极性玻璃体的介电谱测量，无疑对理解其玻璃化转变机制是有价值的。

反铁电陶瓷

上世纪80年代后期具有大电致应变和大机电转换能力的PZST 反铁电陶瓷作为换能器或大位移致动器有源材料方面的研究工作逐步出现。美国Pennsylvania 大学材料研究所开展了PZST反铁电陶瓷作为大位移致动器有源材料应用的可行性研究工作，针对"方宽"型电滞回线的PZST 反铁电陶瓷进行了一系列改性优化，降低相变场强，增大纵向应变量，纵向应变量达到0.85%，相变场强为48 kV/cm，电滞宽度为20 kV/cm。指出"方宽"型电滞回线的反铁电陶瓷在交变电场下表现出严重的电滞损耗，因而不适于交变状态下应用。

铁电材料:在具有压电效应的材料中具有自发极化,自发极化包括二部分:一部分来源于离子直接位移;另一部分是由于电子云的形变。而且其自发极化强度可以因外电场反向而反向,或者在电场作用下不可反向但可以重取向的晶体。铁电体中的自发极化有两个或多个可能的取向。所有铁电体都可以通过人工极化使其具有压电性，值具有压电性的并不一定都是铁电体。

一、产品介绍：

TDZT-04C铁电性能综合测试系统是一代铁电材料参数测试仪适用于铁电薄膜、铁电体材料（既可块体材料）的电性能测量，可测量铁电薄膜电滞回线、I—V特性及开关特性，可地测出具有非对称电滞回线铁电薄膜的Pr值。可测铁电体材料的电滞回线及I—V特性。

一、产品介绍：

TDZT-04C 型铁电性能综合测试系统是一代铁电材料参数测试仪适用于铁电薄膜、铁电体材料（既可块体材料）的电性能测量，可测量铁电薄膜电滞回线、I—V特性及开关特性，可地测出具有非对称电滞回线铁电薄膜的Pr值。可测铁电体材料的电滞回线及I—V特性。

主要技术指标：
1.输出信号电压：：薄膜：0～±10V 陶瓷、材料：0～±2000V
2.输出信号频率：薄膜材料1-1000HZ，陶瓷：0-1Hz
3.电容范围：1000nf～ 100nf, 精度: ≤1%。
4.电流范围: 1nA～10A ,精度: ≤1%。

5、测试样品：0-20mm  5个

6、高压样品池：2个，一个封闭式：8CM*6CM 一个开放式：8CM*5CM

7、三维移动薄膜测试平台：直立式探针一套，角度式探针一套

8、电流：1-10倍放大，信号：1-20倍。.数据结口：USB或BNC接口。

9. 数据采集分析软件： 能画出铁电薄膜的电滞回线，定量得到铁电薄膜材料的饱和极化Ps、剩余极化Pr、矫顽场Ec、漏电流等参数;可以进行铁电薄膜材料的铁电疲劳性能、铁电保持性能的测试，电阻测量，漏电流测量。

10.可以配合ZJ-3和ZJ-6型压电测试仪操作系统