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泰思特EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器
价格：￥128000.00
地区：广东省 广州市
电 话：18585323126
手 机：18585323126

深圳市育创科技有限公司

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泰思特EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(EDS 10IC静电放电发生器针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计，可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相应标准的要求，同时完全满足上述所有标准中严酷等级的静电电压要求。

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3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(特点：

全新三代控制平台 ，触摸屏智能化控制。

自动识别阻容模块，并调整大电压。

低电压5V，1V步进调节电压

可完成单次或自动放电测试，可设置次数、频率等参数。

Human Body Model (HBM)

Machine Model (MM)

ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009

JEDEC JESD22- A114E Jan.2007

ANSI /ESD-STM5.1 2007

MIL-STD-883G 28 Feb.2006

ANSI/JEDEC JS-001-2010

JEDEC JESD22- A115C Nov.2010

 

 

 

技术参数


HBM 短路电流参数


放电电容

100   pF

放电电阻

1500 Ω

峰值电流Ips

0.17   A +10% @250 V

0.33   A +10% @500 V

0.67   A +10% @1000 V

1.33   A +10% @2000 V

2.67   A +10% @4000 V

上升时间

2   ns~10 ns

脉冲宽度

150   ns + 20 ns

振铃幅度

<15%峰值电流

HBM   500欧电阻电流参数


峰值电流Ipr

375   mA~550 mA @ 1000V

1.5   A~2.2 A @ 4000V

Ipr/Ips

≥ 63%

上升时间

5   ns~25 ns

MM短路电流参数


放电电容

200   pF

放电电阻

0 ù

峰值电流Ip1

0.44   A +20% @25 V

0.88   A +20% @50 V

1.75   A +10% @100 V

3.5   A +10% @200 V

7.0   A +10% @400 V

Ip2/Ip1

67%~90%

周期

66   ns~90 ns

MM   500欧电阻电流参数


峰值电流Ipr

0.85   A~1.2 A @ 400 V

100   ns电流值 I100

0.23   A~0.40 A @ 400 V

I200/I100

30%~55%

通用参数


输出电压

HBM   5 V~8000 V (5%+5V)

MM    5 V~1000V (5%+5V)                                  

极性

正、负或正负交替

频率

0.1   Hz~5 Hz

触发次数

1~999次

触发方式

自动，手动，外触发

输入电源

AC   100 V ~240 V ，+10% 

50   Hz /60 Hz

环境温度

15℃~35℃

储藏温度

-10℃~50℃

相对湿度

25%~75%

尺寸

450   mm x320 mm x190 mm(长x宽x高)

重量

约10   kg

 


测量范围

4KV

测量精度

0.05%

重量

10KG