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银导电浆料实验室在线纳米研磨分散机
银导电浆料分为两类:①聚合物银导电浆料(烘干或固化成膜,以有机聚合物作为粘接相);②烧结型银导电浆料(烧结成膜,烧结温度>500℃,玻璃粉或氧化物作为粘接相)。
银粉照粒径分类,平均粒径<0.1μm(100nm)为纳米银粉; 0.1μm< Dav(平均粒径)10.0μm为粗银粉。构成银导体浆料的三类别需要不同类别的银粉或组合作为导电填料,甚至每一类别中的不同配方需要不同的银粉作为导电功能材料,目的是在确定的配方或成膜工艺下,用*少的银粉实现银导电性和导热性的**利用,关系到膜层性能的优化及成本
分类
银粉按照粒径分类,平均粒径<0.1μm(100nm)为纳米银粉; 0.1μm< Dav(平均粒径) <10.0μm为银微粉;Dav(平均粒径)> 10.0μm为粗银粉。粉末的制备方法有很多,就银而言,可一次采用物理法(等离子、雾化法),化学法(硝酸银热分解法、液相还原)。由于银是贵金属,易被还原而回到单质状态,因此液相还原法是制备银粉的*主要的方法。即将银盐(硝酸银等)溶于水中,加入化学还原剂(如水合肼等),沉积出银粉,经过洗涤、烘干而得到银还原粉,平均粒径在0.1-10.0μm之间,还原剂的选择、反应条件的控制、界面活性剂的使用,可以制备不同物理化学特性的银微粉(颗粒形态、分散程度、平均粒径以及粒径分布、比表面积、松装密度、振实密度、晶粒大小、结晶性等),对还原粉进行机械加工(球磨等)可得光亮银粉(polished silver powder),片状银粉(silver flake)。
CMD2000研磨机为立式分体结构,**的零部件配合运转平稳,运行噪音在73DB以下。同时采用德国博格曼双端面机械密封,并通冷媒对密封部分进行冷却,把泄露概率降到低,保证机器连续24小时不停机运行。
CMD2000系列研磨分散机的结构:研磨式分散机是由锥体磨,分散机组合而成的高科技产品。
**级由具有精细度递升的三级锯齿突起和凹槽。定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离。在增强的流体湍流下,凹槽在每级都可以改变方向。
第*级由转定子组成。分散头的设计也很好地满足不同粘度的物质以及颗粒粒径的需要。在线式的定子和转子(乳化头)和批次式机器的工作头设计的不同主要是因为 在对输送性的要求方面,特别要引起注意的是:在粗精度、中等精度、细精度和其他一些工作头类型之间的区别不光是指定转子齿的排列,还有一个很重要的区别是 不同工作头的几何学特征不一样。狭槽数、狭槽宽度以及其他几何学特征都能改变定子和转子工作头的不同功能。根据以往的惯例,依据以前的经验指定工作头来满 足一个具体的应用。在大多数情况下,机器的构造是和具体应用相匹配的,因而它对制造出*终产品是很重要。当不确定一种工作头的构造是否满足预期的应用。
CMD2000研磨机有一定输送能力,对高固含量有一定粘稠度物料,CM2000设计了符合浆液流体特性的特殊转子,进行物料的推动输送;所有与物料接触部位均为316L不锈钢,机座采用304不锈钢;特殊要求如:硬度较大物料,对铁杂质要求严苛的物料,管道有一定压力并且需不间断运转的工况,可选磨头喷涂碳化物或陶瓷;CMD2000改良型胶体磨腔体外有夹套设计,可通冷却或者升温介质。
CMD2000系列研磨分散机设备选型表
型号 | 流量 L/H | 转速 rpm | 线速度 m/s | 功率 kw | 入/出口连接 DN |
CMD2000/4 | 300 | 9000 | 23 | 2.2 | DN25/DN15 |
CMD2000/5 | 1000 | 6000 | 23 | 7.5 | DN40/DN32 |
CMD2000/10 | 2000 | 4200 | 23 | 22 | DN80/DN65 |
CMD2000/20 | 5000 | 2850 | 23 | 37 | DN80/DN65 |
CMD2000/30 | 8000 | 1420 | 23 | 55 | DN150/DN125 |
CMD2000/50 | 15000 | 1100 | 23 | 110 | DN200/DN150 |
流量取决于设置的间隙和被处理物料的特性,可以被调节到zui大允许量的10
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