可控硅静态综合测试仪

一、产品简介

该测试系统是晶闸管、整流二极管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。

 该套测试设备主要有以下几个单元组成：

1)       门极触发参数测试单元

2)       维持电流测试单元

3)       阻断参数测试单元

4)       通态压降参数测试单元

5)       电压上升率参数测试单元

6)       擎住电流

7)       门极电阻

8)       计算机控制系统

9)       合格证标签打印

10)  夹具单元；包含平板夹具和模块夹具

可控硅静态综合测试仪

二、技术条件

主要技术指标：

  2.1  门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT

1.  阳极电压：12V;

2.  阳极串联电阻：6Ω;

3.  门极触发电压：0.3～5.00V±3%±10mV;

4.  门极触发电流：2～450mA±3%±1 mA;

2.2  维持电流测试单元IH

1. 阳极电压：12V;

2. 预导通电流： ＞10A,正弦衰减波；

3. 维持电流： 2～450mA  ±5%±1 mA;

4. 测试频率：单次；

2.3  通态压降测试单元VTM

1.     平板器件通态电流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

2.     模块器件通态电流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

3.  电流上升沿时间：≥5ms；

4.  通态压降测试范围： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；

5.  测试频率：单次；

2.4  断态电压/断态漏电流VD/ID；反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元

1.  阻断电压：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；

模块单元阻断电压：0.20～4.00kV

2. 正反向自动测试：

3．正/反向漏电流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；

精度：±5%±1 mA；

4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所  设定的范围则自动保护。  

5. 测试频率： 50HZ

2.5  断态电压临界上升率测试单元dv/dt

1.  电压：1200V,1600V,2000V三档，分辨率：1V，精度±5%；

2.  电压过冲范围：＜50V±10%

3. DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；

2.6  擎住电流I_L：100-1800mA

2.7  平板夹具压力范围：6-60KN，气动加压方式

可控硅静态综合测试仪

三、功能概述

3-1测试功能范围

该套测试设备主要可测试以下参数：

1.       门极参数测试：V_GT、I_GT

2.       维持电流测试：I_H

3.  阻断参数测试：本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。

4.       压降单元

本测试单元用来测量晶闸管、整流管的V_TM、I_TM、V_FM、I_FM等参数。

5、           电压上升率参数测试：dv/dt

6、           擎住电流I_L

7、           门极电阻：适合门极触发电压在0.95V以上器件测试

3-2、测试方法和测试准则及原理满足  IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。

( 山东科研院所)

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