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可控硅反向恢复测试仪
价格：￥10000.00
地区：陕西省 西安市
手 机：15319792496

西安智盈电气科技有限公司

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可控硅反向恢复测试仪主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。

4.2主回路参数

序号

项目

指标范围

分辨率

误差范围

备注

1

直流电源

100V~4000V连续

10V

±3%±10V

DC

2

支撑电容

≥5mF


±5%±5uF

C

3

Didt调节电感

0.5uH~1uH~2uH；分3档手动调节


±5%


4

电流采集(I1)

CWT30B



6000A

5

电压采集(v+/v-)

TEKP6015A



20KV

6

过流保护(I2)

CP9600LF




7

负载电感

分档：50uH/100uH/200uH/500uH




8

R/C

IGCT吸收电阻




9

IGCT器件（Q1）

满足电压和电流量程




可控硅反向恢复测试仪

4.3测试参数

序号

参数

测试范围

精度

备注

1

-di/dt

200 ~5000A/us

±3%


2

VR

0-4000V

±3%


3

IF

200-5000A

±3%


4

IRR

0~5000A

    ±3%


注： 以上参数能够同时实现并独立可调同时能够测试反向恢复电荷Qrr、Qra，反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、ta，tb，s（软度因子），恢复能量Eoff。

可控硅反向恢复测试仪

4.4自动恒温压力夹具

序号

项目

参数

备注

1

    工作方式

自动


2

压力范围

10～130KN分辨率0.1 KN；精度±5%


3

温度控制范围

70～180℃，分辨率0.1℃

高压阳极控温器采用非接触式测温

 

可控硅反向恢复测试仪

5、              检测参数

参数

项目


*正向电流

范围：200-5000A，连续可调；

±3%±2A；


*二极管电压

范围：300-4000V，连续可调；

±3%±2V；


反向恢复电流测量范围

范围：200-5000A，连续可调；

±3%±10A


反向恢复电荷测量范围

200-35000μC±3%±10μC


反向恢复时间测量范围

0.01-40μs±3%±0.05μs


反向恢复能量测量范围

0.1-1000J±3%±0.1J


*可选电感

0.2、0.5、1、2、3μH可选


电流变化率

500A/μs-2500A/μs 可调


( 天津半导体检测) 

可控硅反向恢复测试仪


企业类型

制造商

新旧程度

全新

原产地

陕西西安

性能:

可靠性高

包装:

木箱

颜色:

灰白色

材质:

不锈钢

重量:

300KG