IGBT动/静态测试系统

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是电力控制和电力转换的核心器件，是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗，低导通压降，高速开关特性和低导通状态损耗等特点，非常适合高电压和高电流的光伏逆变器、储能装置和新能源汽车等电力电子应用