薄膜电阻器是用类蒸发的方法将电阻率材料蒸镀于缘材料表面制成，一般这类电阻常用的缘材料是陶瓷基板。

     近年来，随着电子信息技术的快速发展，A/D、D/A 转换电路及其它线性或非线性电路的发展日新月异，其中以薄膜电阻网络为的高运算放大器和高的 A/D、D/A 转换电路是不可少的。为了ADC和 DAC 的和分辨率，薄膜电阻的性能也须有相应的。

DAC 和ADC 和分辨率的高低主要取决于器件内部的电阻网络，DAC 和ADC 转换器件一般多选用R－2R 梯形电阻网络。电阻网络性能的分析研究和制作，一直是模拟器件研制和生产的关键技术。薄膜电阻由于具有高电阻率、低电阻温度系数、高稳定性、无寄生效应和低噪音等优良特性，在航空、国以及电子计算机、通讯仪器、电子交换机等高新领域有了越来越广泛的应用。

     薄膜的形成实质上是气－固转化、晶体生成的过程，它大致可以分为下面几个主要步骤：原子或分子撞击到固体的表面；它们被固体表面的原子所吸附或直接反射回空间；被吸附的粒子在固体表面发生迁移或扩散而移动到表面上合适的格点位置并进入晶格。这些过程以及它们之间的相互关系决定了薄膜的形成过程和薄膜的性质。

     电材料分类：

     目前，制作电阻薄膜的材料有许多，包括属、金属合金、金属化合物或金属陶瓷(陶瓷和金属的组合)等，但单片模拟集成电路和薄膜混合电路中广泛使用的材料有三种:镍铬、铬硅和铬硅氧化物金属陶瓷，其中镍铬属于低阻类材料，而铬硅和铬氧化硅属于高阻类材料。按照组成材料的不同，常用薄膜类电阻材料分为三种，镍铬、铬硅和铬一氧化硅。

      区别：

      薄膜电阻器与厚膜电阻器主要有以下两个区别：

      一、膜厚的区别，厚膜电阻的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm；

      二、制造工艺的区别，厚膜电阻一般采用丝网印刷工艺，薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。厚膜电阻和薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般较差，10%，5%，1%是常见，而薄膜电阻则可以做到0.01%一，0.1%一等。 同时厚膜电阻的温度系数上很难控制，一般较大，同样的，薄膜电阻则可以做到低的温度系数，这样电阻阻值随温度变化小，阻值稳定。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表，器械，电源，电力设备，电子数码产品等。