功率器件环境老化试验系统

可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的

HTRB（高温反偏）、HTGB（高温栅偏）、H3TRB（高温高湿反偏）

      该试验系统是依据 GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 标准要求对器件测试，将栅与发射短接，在集电与发射间加上设定的直流电压，同时检测直流电压与漏电流的值。测试需有传感器直接检测 IGBT 模块壳温，并可通过软件输入模块结壳热阻，结合产生的耗散功率，当温度与漏电流过设定值后，切断电源，给出信号。此设备是电力电子器件环境老化测试的重要检测设备，用于验证长期稳定情况下器件的漏电流。系统**测试电压5000V（可扩展至10KV）。可以实现对IGBT器件集电-发射电压Vce、集电发射电流Ices、壳温Tc 、时间等各项参数的检测，根据程序设定自动完成测试，记录保存测试数据并且可以浏览和导出。

       测试夹具采用气动控制单面加热型。工作时通过温控仪和其他控制系统设定温度和时间，具备自动检测温度、温报警、压报警、过流保护及连锁、紧停等功能，异常时切断主电源。