二、应用范围

主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级封装以及3D互联、TSV工艺等。

三、主要特点

u 大化降低客户总拥有成本（TCO）

u 高键合温度450度，压力10KN

u 确的硅片低压契型补偿系统以良率

u 温度均匀性： <+/- 1% ；压力均匀性：<+/- 5%

u 工艺菜单与其他键合系统通用

u 高真空度键合腔室 (可 10^-5 mbar，使用分子泵)

u 开放式腔室设计便于快速转换和维护

u 基于Windows 的控制软件和操作界面

u 化占地占地面积--- 200 mm键合系统占地 0.88 m²