漏电微光显微镜分析仪emmi芯片失效分析半导体测试

漏电微光显微镜分析仪emmi芯片

主要用途  当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。

性能参数  a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素；  b)侦测波长范围900nm - 1700nm  c)像素尺寸：30um x 30um  d)曝光时间 20ms - 400s  e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x  f)Back side EMMI

应用范围  　1.P-N接面漏电  　2.饱和区晶体管的热电子  　3.P-N接面崩溃  　4.闩锁效应  　5.氧化层漏电流产生的光子激发

漏电微光显微镜分析仪emmi芯片

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