GDAS51射频导纳物位开关

一、产品原理及应用

古大GDAS51 射频导纳物位开关的探测棒与金属容器罐壁之间具有电容特性，由此构成一个电桥电路，振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上。当被测介质未接触到探测棒时，电桥处于平衡状态，没有输出信号，而当被测介质填充到探测棒与罐壁之间时，由于被测介质的电特性与空气不同，会引起电桥电路的不平衡，从而产生输出信号。可应用于液体、固体等复杂过程条件的测量。

二、产品参数

探测组件材料： PPS/不锈钢 316L

过程温度： -50～150°C

过程压力： -1.0～64bar

信号输出： 一个单刀双掷继电器，接点容量 250V/5A

过程连接： G?A

长度： 0.4～3m; 0.3～10m

供电方式： 24V DC±10%

220V DC±10%

三、 GDAS51系列射频导纳物位开关选型表