微光显微镜emmi漏电定位失效分析
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光发射显微镜 微光显微镜emmi漏电定位失效分析
光发射显微镜是器件分析过程中针对漏电失效模式，不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有缘缺陷，或者期间经过外界静电击穿，均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电得状态下，内部形成流动电流，漏电位置的电子会发生迁移，形成电能向光能的转化，即电能以光能的方式释放，从而形成200nm~1700nm。光发射显微镜主要利用侦测器，通过红外显微镜探测到这些释放出来的，从而精准的定位到器件的漏电点。我司推出的P-100光发射显微镜(EMMI),在同业中具有的性价比,并凭借良好的售后服务,占领市场.目前大中国地区的失效分析客户有: 上海宜硕、深圳宜智发、上海闳康、上海矾诠、广州五所、北京电科院、东南大学、乐山菲尼克斯、深圳明微。。。。。。
微光显微镜emmi漏电定位失效分析
Junction Leakage Oxide Leakage
D Damage Avalanche-20x Backside Image
Poly Filaments Backside Observation
微光显微镜emmi漏电定位失效分析
System | Items | Specification |
camera | Cooling CCD Camera | |
Cooling Silicon CCD | -65 ℃ ",Forced Air +4 stage Peltier Cooling | |
Pixelsize | 24umx24um | |
Roluiion | 512 x512 | |
High QE | UV~NIR | |
QE At 1000nm | >=20% | |
Dual Read Out Mode | Fast Scan Mode 2.5MHZ /Pixel | |
Slow Scan Mode (High Sensitivity) 0.156MHz/Pixel | ||
Dark Current | <=0.17 electron/pixel/s | |
Readout noise | 7 electron(r.m.s) | |
Dynamic range | 32875:1 | |
A/D Converter | 16 bit | |
Readout/control Interface | IEEE 1394 | |
Exposure Time | 20ms~7200s | |
Contrast enhancement | Max 16 x | |
Microscope | High Pricion Motorized XYZStage | |
Stage Rolution | 0.1um | |
Accuracy | ±1um | |
X Stroke (Moving Range) | >50mm | |
Y Stroke(Moving Range | >30 mm | |
Z Stroke | >100mm | |
Motorized Lens Changer With Optics | 4 hol/RS232 Control Interface | |
Light Box | Dual Light Source(Visible ,NIR)Auto Switch | |
NIR Light Tranission | >70% | |
NIR Lens | 2.5x,5x,20x,100x | |
Eyepiec | 10x | |
Control Console | X/Y/Z/Lens Change/Light Adjust | |
Auto Lens Alighment | Accuracy<5um | |
Pattern/Emission Optics Switch | ||
InGaAs camera | 冷却方式 | cooling down to -70摄氏度 |
侦测波长范围 | 900～1700nm | |
解析度 | 320*256（软件能力640*512） | |
QE Range | QE@1300nm>70% | |
Pixel Size | 30um*30um | |
High Gain | >300sec | |
Dark Box With | Inteligent Temperature Control Light | |
High Stable Anti-Vibration Table |