? 选件丰富，通过选件的灵活搭配组合实现相应的测试能力

? 电压1200V(预留3000V的扩展选件）

? PC为系统主控计算机

? 电流300A(预留500A的扩展选件）

? 测试结果可输出为EXCEL及文本格式

? 时间测试：1.0ns

? 每个功能单位均为封闭的个体功能区，无相互干扰，稳定性好

? 主控计算机控制

? 测试能力和信号源可实现升级扩展

? 基于Labview的软件操作系统

? 低电感跨接式电路结构，杂散电感小于100nh

01

IGBT

缘栅双大功率晶体管

02

MOSFET

MOSC场效应管（N沟道P沟道）

03

FRD

快恢复二管

开通延迟td(on)

阈值电荷Qg（th）

单脉冲雪崩能量EAS

关断延迟td(off)

栅电荷Qg

重复脉冲雪崩能量EAR

上升时间tr

栅源电荷Qgs

单脉冲雪崩电流IAS

下降时间tf

栅漏电荷Qgd

单脉冲雪崩功率PAS

关断时间 toff

平台电压VgP

单脉冲雪崩能量EAS

反向恢复特性

短路特性

浪涌电流

反向恢复时间Trr

短路电流Isc

测试频次自动加载

反向恢复电荷Qrr

短路耐量Esc

脉宽可调

反向电流Irm

短路时间Tsc

峰值电流可达20KA

等效电阻寄生电容

功率循环

静态参数

等效电阻

加热电流

静态直流全参数

输入电容Ciss

循环次数

包括漏电流、跨导

输出电容Coss

升温降温

击穿电压、压降等

反馈电容Crss

基本参数

功率源：1200V 300A             

小定时测量1.0ns

开关特性

脉宽：1.0μs~10μs、0.1μs的步径；

电流：1.0~50 A     分辨率0.2 A

      50.5~100 A  分辨率 1.0 A

漏电压：  5V - 1500V，0.1V的步径；

电感：0.1mH~159.9mH

栅电流：峰值电流14A

栅驱动：±20V 分辨率0.1V

栅电荷

栅驱动   0 - 2.0 mA 分辨率 0.01 mA

          中间 2.0 - 20.0 mA 分辨率 0.1 mA  

           20.0 - 200.0 mA 分辨率 1.0 mA

栅电压  ±20 volts 分辨率 ±0.1 V

漏电流（固态负载）1 - 25 A 分辨率 0.1 A

                    25 - 200 A 分辨率 0.5 A

                    电流下电压可用

漏电压 25V - 1200V

短路特性

电流：1000A

脉冲时间：1us ~ 100us

栅驱动：±20V 分辨率 0.1V

漏电压：5V ~ 1200V，0.1V的步径

反向恢复特性

正向电流（IF）：1.0 - 50 A @ 0.2 A

               50.5 - 200 A @ 1.0 A（电流下电压不可用）

反向电流斜率（di/dt）：1.0 - 600 A/μs，1.0A/ns 的步径

反向恢复电流（Irm）：≤200A

占空比：＜ 0.1%

反向恢复时间（Trr）：10 ns - 2.0 μs

电源电压（VDD）：5V - 1200V，0.1V的步径

反向恢复电荷（Qrr）：1 nC - 100 μC