去胶工艺是微加工实验中一个非常重要的过程。在电子束曝光、紫外曝光等微纳米加工工艺之后，都需要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶去除的是否干净彻底、对样片是否有损伤等问题将直接影响到后续工艺的顺利完成。德国ALPHA PLAMSA拥有多年的去胶经验，致力于给您提供的微波等离子体去胶机系统，并提供的技术支持服务。

桌面式微波等离子体去胶机                      立式微波等离子体去胶机

 产品优势：

• 去胶快速彻底

• 对样片无损伤

• 操作简单安全

• 设计紧凑美观

• 产品性价比高

 产品用途：

• 高剂量离子注入光刻胶的去除

• 湿法或干法刻蚀前后的去残胶

• MEMS中牺牲层的去除

• 去除化学残余物

• 清除浮渣工艺

  SU-8胶的去除：

  MEMS工艺中经常用到SU8光刻胶，然而SU8非常稳定，其致命的缺点就是去胶困难。为了解决SU-8光刻胶的去胶问题，我们向您推荐德国Alpha Plasma的SU-8微波等离子体去胶机，该设备采用氟基气体的去胶工艺，利用氟基气体与SU-8胶的化学反应，实现快速去除SU-8功能。同时设备中还集成了温控系统，去胶过程中对衬底温度的控制保证了高深宽比金属结构的完整性，终实现高质量MEMS器件的制备。SU-8去胶速率验收指标为1μm/min，实验中可达到几个微米。因此这款的SU8去胶机是MEMS去胶工艺的理想选择。