东芝2SK3565
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产品属性
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东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(-MOSIV)2SK3565开关稳压器应用
低漏源导通电阻:RDS(ON)= 2.0
?高正向转移导纳(典型值):| YFS | = 4.5 S(典型值)
?低漏电流:IDSS = 100 A(VDS = 720 V)
?增强模式:Vth的= 2.0?4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)的
额定值(Ta = 25°C)
东芝2SK3565特性符号额定值单位
漏源电压VDSS 900 V漏极 - 栅极电压(RGS = 20kΩ的)VDGR 900 V栅源电压VGSS±30 V DC(注1)ID 5漏极电流脉冲(T = 1毫秒)(注1)IDP 15疏功耗(TC = 25°C)PD 45 W单脉冲雪崩能量(注2)EAS 595兆焦耳雪崩电流IAR 5 A重复雪崩能量(注3)EAR 4.5兆焦耳沟道温度Tch 150°C保存温度Tstg -55?150℃