东芝2SK3565
价格:电议
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东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型(-MOSIV2SK3565开关稳压器应用

低漏源导通电阻:RDSON= 2.0

?高正向转移导纳(典型值):| YFS | = 4.5 S(典型值)

?低漏电流:IDSS = 100 AVDS = 720 V

?增强模式:Vth= 2.0?4.0 VVDS = 10 VID = 1 mA)的

额定值(Ta = 25°C

东芝2SK3565特性符号额定值单位

漏源电压VDSS 900 V漏极 - 栅极电压(RGS = 20kΩ的)VDGR 900 V栅源电压VGSS±30 V DC(注1ID 5漏极电流脉冲(T = 1毫秒)(注1IDP 15疏功耗(TC = 25°CPD 45 W单脉冲雪崩能量(注2EAS 595兆焦耳雪崩电流IAR 5 A重复雪崩能量(注3EAR 4.5兆焦耳沟道温度Tch 150°C保存温度Tstg -55?150