莱芜光催化氧化设备参数//UV光解设备大量批发供应

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　　光催化氧化简介

　　半导体光催化剂大多是n型半导体材料（当前以为TiO2使用广泛 ） 都具有区别于金属或绝缘物质的特别的能带结构，即在价带和导带之间  存在一个禁带。由于半导体的光吸收阈值与带隙具有式K=1240/Eg（eV） 的  关系，因此常用的宽带隙半导体的吸收波长阈值大都在紫外区域。当 光子 能量高于半导体吸收阈值的光照射半导体时，半导体的价带电子发 生带间 跃迁，即从价带跃迁到导带，从而产生光生电子（e-）和空穴 （h+）。此 时吸附 在纳米颗粒表面的溶解氧俘获电子形成超氧负离子， 而空穴将吸附在催化 剂表面的氢氧根离子和水氧化成氢氧自由基。而超 氧负离子和氢氧自由基 具有很强的氧化性，能将绝大多数的有机物氧化 至终产物CO2和 H2O,甚至 对一些无机物也能彻底分解。

　　在光催化氧化反应中，通过紫外光照射在纳米TiO2光催化剂上产生  电子空穴对，与表面吸附的水份（H2O）和氧气（O2）反应生成氧化性很活波的qiang基自由基（OH-）和超氧离子自由基（O2-、0-）。能够把各种废   臭气体如醛类、苯类、氨类、氮氧化物、硫化物及其它VOC类有机物、无  机物在光催化氧化的作用下还原成二氧化碳（CO2）、水（H2O）以及其它  无毒无害物质，同时具有除臭的功效，由于在光催化氧化反  应过程中无任 何添加剂，所以不会产生二次污染。

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