3升12V 12V升24V 24V升36V 10V-24V转12V 2A   升降压车充芯片  3V升15VLED驱动升压IC   8V至30V转12V 2A    3V升5v 2A   4.2V升12v 1A  5V升12v 1.5A      12V升24v/3.5A   5V升9V/2A        5V升12V/800mA       8.4V升12V/2A      12V升19V/3A   12V升24V升36V升48V升60V  24V升28V  5V升12V   3V升9V升12V 升压芯片   YNS306  12V输入升降压ic 12V升24V 升降压ic 车充升降压芯片

 10V-24V转12V 2A输出 低压升压3V升5V /2A 6V升12V升12.6V升36V升60V

大电流降压芯片 YNS306外置MOS管降压芯片 48V转36V转24V转12V

 YNS306为一款频率可调、外置MOSFET大电流升压芯片，电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升

      YNS306实现大电流输出，芯片的输入范围为2.2～15V，该控制器采用独特的控方案，PWM（脉冲宽度调制）的优越性，提供一个高效、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便于降低电路成本及电路的尺寸。

广泛应：

LCD Panel背光、通讯设备

移动电源、医疗设备、车载电源

应充电器、电动车系统供电

其基本特性如下：

1. 提供高度参考电压源: 0.5V(+/-2%)

2. Totem Pole 输出PWM 信号，用以直接推动NMOS

3. 宽工作电压范围：3.6V-15V

4. 宽工作频率范围：50KHz~1MHz

5. 欠压IC 栓锁功能(UVLO)

6. PWM DTC 限制：75%

7. 软开机及短路保护功能 (Soft-Start amp;am SCP)

8. 省电功能 (Shutdow Mode)

9. SOP-8L封装