H5610体三管产品参数介绍：

产品型号：H5610

产品封装：TO-92L

集电-基电压VCBO：25V

集电-发射电压VCEO：20V

集电电流IC：1000mA

集电耗散功率Ptot：750mW

工作温度Tj:150℃

贮存温度Tstg:-65~150℃

晶体三管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电，分别为基b发射e和集电c。
　　发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射箭头向里；NPN型三管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射箭头向外。发射箭头向外。发射箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三管和锗晶体三管都有PNP型和NPN型两种类型。