探测效率    > 65 % @ 700nm

          暗记数      200 ~ 2000 cps

          后脉冲           3 ~ 5%

          时间抖动    300 ~ 500 ps

          工作温度     -15 ~ 45 ℃

雪崩光电二极管工作在盖格模式时，倍增区加载了极高的电场，使得进入倍增区的单个载流子可以激发自特性的雪崩过程，增益超过10-6，从而可以探测单个光子。我们设计了高性能的主动抑制电路，实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了20dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到状态。探测器532nm波段的探测效率超过50%。适合荧光标记、激光测距、相关探测等多种应用。