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4N60 是一种常用的 N 沟道高压 MOS 管,以下是其详细参数:
漏源电压(VDS):600V。
栅源电压(VGS):±30V。
连续漏极电流(ID):4A。
脉冲正向电流(ISM):16A。
漏源导通电阻(RDS (ON)):2.5Ω(典型值)。
栅极阈值电压(VTH):2V。
栅极阈值电压(VTH):4V。
耗散功率(PD):104W - 106W。
零栅极电压漏极电流(IDSS):1μA。
二极管正向电压(VSD):1.4V。
典型接通时延:55ns。
典型上升时间:30ns。
典型下落时间:15ns。
典型断开时延:60ns。
工作温度范围:-55℃至 150℃。
封装形式:常见的有 TO - 220、TO - 220F、TO - 251、TO - 252 等。
4N60 的用途广泛,主要包括以下方面:
开关电源:能够承受较高的电压,具有较小的导通电阻,可在高压开关电源中起到高效开关和稳压作用,实现交流电到直流电的转换。
电机驱动:可用于驱动各种直流电机和步进电机,通过控制 MOS 管的导通和截止,来控制电机的转速和转向。
开关稳压器:有助于稳定输出电压,确保在不同的负载条件下都能提供稳定的直流电压。
继电器驱动器:可以控制继电器的吸合和释放,实现对高电压、大电流负载的控制。
桥接电路:在一些需要进行信号转换或功率放大的桥接电路中发挥作用。
LED 照明:在 LED 照明驱动器中,作为功率开关和电流控制器,提供稳定的电流输出,实现高效的能量转换。
新能源领域:如在新能源储能、光伏、电瓶车等设备中,用于电源管理和功率转换。
智能家电:例如智能高压锅、高压吹风机等,在其开关电路和电机驱动电路中起关键作用。
封装形式
TO-220F
环保类别
无铅环保型
安装方式
直插式
包装方式
散装
功率特征
小功率