4N60C为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

产品特点：

4A,600V，RDS(on)(典型值）1.97Ω

低电荷、低反向传输电容

开关速度快

漏—漏电压（VDS）:600V

漏电流(ID):4A

栅源电压（VGS）:±30V

耗散功率（PD）:36W

结温（TJ）:150℃

储存温度(Tstg):-55~150℃

详细参数：请参照产品规格书或直接来电咨询

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—缘体(insulator)—半导体。

　　双型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个缘体，所以FET管的GATE电流小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE下的缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双型晶体管。