SB1045L   TO-277  贴片LOW VF 正向压降肖特基二管，

VF值：0.45V;电流：10A 耐压：45V；浪涌电流：200A;产品主要用于智能

手机充电器、快速充电器、开关电源、太阳能控制器等领域！产品详细技术

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肖特基二管D (Schottky Barrier Diode)        它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－缘体－半导体）肖特基二管可以用来制作太阳能电池或发光二管。

       肖特基二管(Schottky Diodes)： 肖特基二管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二管常用在门电路中作为三管集电的箝位二管，以三管因进入饱和状态而降低开关速度。其反向恢复时间短（可以小到几纳秒），正向导通压降0.4V左右，而整流电流却可几千安培。这些优良特性是快恢复二管所拟的。中、小功率肖特基整流二管大多采用常见的DO-41 DO-15 DO-27 TO-220封装形式，贴片的则有SOD123 SMA S SMC等封装形式。

SB1045L TO-277肖特基二极管

SB1045L TO-277