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图文详情
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产品属性
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双极(自旋阀)GMR磁传感器
产品特点
l 每片集成一组或两组的自旋阀巨磁电阻(GMR)惠斯通电桥
l 模拟正电压(半桥)或差分电压(全桥)输出
l 测量范围:±0.3mT~±4.3mT
l 灵敏度:3mV/V·mT~40mV/V·mT
l 供电电压:DC1V~DC20V
l 频率响应:0~1MHz
l 非线性度:0.4%~2%
l 温度稳定性:≤20 ppm/℃
l 工作温度范围:-40℃~85℃(类),-55℃~125℃(第二类)
l 微型表面贴装封装
应用领域
l 磁头
l 接近开关
l 角度传感器、转速传感器、位移传感器
l 电流检测
l 磁电编码器
l 电子罗盘
l 特种弱磁检测领域
产品说明
自旋阀巨磁电阻(GMR)传感器芯片是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化,导致电桥输出端的电压产生相应的变化,即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。巨磁电阻(GMR)传感器芯片采用一组或两组的GMR惠斯通电桥结构,将磁场转化成模拟正电压(半桥)或差分电压(全桥)输出,具有宽的测量范围、高灵敏度、低磁滞、低温漂和优良的线性度,可以测量±0.3mT~±4.3mT的磁场,采用超小型尺寸
封装。产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、医疗设备、消费电子等领域。
宽测量范围系列
表1:宽测量范围系列产品参数表
型号 | 电阻(Ω) | 灵敏度 (mV/V·mT) | 饱和场 (mT) | 分辨力 (nT) | 非线性度 (%)FS | 温漂 ppm/℃ |
VA110F2 | 5000 | 14 | 2.0 | 241 | 0.59 | 8.8 |
VA110F3 | 10000 | 10 | 4.8 | 727 | 0.55 | 6.4 |
VA110F4 | 20000 | 6 | 4.6 | 1212 | 0.75 | 5.3 |
VA110F5 | 10000 | 6 | 4.6 | 1177 | 1.0% | 6.4 |
表2:左图对应型号SOT-23-6L封装引脚说明
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