磁阻传感器(VA110F5 )
价格:电议
地区:浙江 瑞安市
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双极(自旋阀)GMR磁传感器

 

 

产品特点 

l         每片集成一组或两组的自旋阀巨磁电阻(GMR)惠斯通电桥

l         模拟正电压(半桥)或差分电压(全桥)输出

l         测量范围:±0.3mT~±4.3mT

l         灵敏度:3mV/V·mT40mV/V·mT

l         供电电压:DC1VDC20V

l         频率响应:01MHz

l         非线性度:0.4%2%

l         温度稳定性:≤20 ppm/

l         工作温度范围:-40℃~85(类),-55℃~125(第二类)

l         微型表面贴装封装

应用领域

l         磁头

l         接近开关

l         角度传感器、转速传感器、位移传感器

l         电流检测

l         磁电编码器

l         电子罗盘

l         特种弱磁检测领域

产品说明

自旋阀巨磁电阻(GMR)传感器芯片是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化,导致电桥输出端的电压产生相应的变化,即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。巨磁电阻(GMR)传感器芯片采用一组或两组的GMR惠斯通电桥结构,将磁场转化成模拟正电压(半桥)或差分电压(全桥)输出,具有宽的测量范围、高灵敏度、低磁滞、低温漂和优良的线性度,可以测量±0.3mT~±4.3mT的磁场,采用超小型尺寸

封装。产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、医疗设备、消费电子等领域。

 

宽测量范围系列

 

1:宽测量范围系列产品参数表

型号

电阻(Ω

灵敏度

mV/V·mT

饱和场

mT

分辨力

nT

非线性度

(%)FS

温漂

ppm/

VA110F2

5000

14

2.0

241

0.59

8.8

VA110F3

10000

10

4.8

727

0.55

6.4

VA110F4

20000

6

4.6

1212

0.75

5.3

VA110F5

10000

6

4.6

1177

1.0%

6.4

 

 

 

 

 

 

2:左图对应型号SOT-23-6L封装引脚说明

引脚号

符号

描述

1

OUT-

负输出

3

Vcc

电源电压

4

OUT+

正输出

6

GND

电源地

2,5

NC

悬空未连接