锑化铟（Insb）霍尔器件 线性霍尔IC元件性能

   这是一种采用锑化铟蒸发薄膜的高灵敏度型霍尔元件。

   电极间采用高可靠性的金丝球焊连接，保证稳定的特性。

   采用磁性材料作为基板，输出电压灵敏度高，可用于磁场强度较小的场合。

   输入输出阻抗适合晶体管回路。

   超小型封装，适用于结构紧凑的应用。

   内部结构和引脚对称布局，元件水平180度旋转后特性和0度时完全相同。 

锑化铟用来作为磁感应材料，具有超高灵敏度

工作温度范围：-40至110℃

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