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图文详情
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产品属性
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本公司是红外发射管、光敏接收管、可见光LED为主,集开发、生产、销售全系列发光二极管为一体的生产厂,公司主要技术人员拥有近十年LED封装与开发技术能力,公司生产的红外灯系列一直处于行业的地位,与国内外企业有着密切合作,并不断开发改进,将更好的优质产品提供给国内外客户使用。
公司均采用国内外先进的自动化设备生产,大大提高产品品质以及生产产能;公司全面通过ISO9001质量体系,产品经过环保,符合ROHS要求,能够满足客户对产品的要求。
本公司的红外灯电性稳定、辐射强度高、品种齐全、性价比高,广泛应用于红外监视系统(红外摄像头、红外相机、行车记录仪等)、婴儿监视器及红外控制系统等领域。
产品按波长主要分为940、850NM两种,其中850在工作时有红爆点,940是看不到红爆点的,但940的辐射强度在相同工作电流的情况下只有同规格850辐射强度的1/2到1/3左右,故在远距离是一般是采用850做红外光源,在隐蔽性要求较高的情况下一般是胶体颜色改变或采用940做光源
本公司生产的红外发射管芯片分为鼎元及光磊两种,适用于中产品的需求
940红外灯电压:1.1~1.35V@50ma,每0.1V一档 漏电流控制在5V 5uA以内
850红外灯电压:1.35-1.55V@50ma,每0.1V一档 漏电流控制在5V 5uA以内
直插式红外灯常规尺寸有 φ3、 φ4、 φ5、φ8φ10,亦可亦要求订制异型规格
发射距离:8~80M,依客户要求选择,工作电流越大,角度越小的情况下发射距离会越远
LED胶体颜色可依要求配制:一般有水透明、蓝透明、黑胶体、有色扩散等
发射角度需客户要求调整:有10º、20º、30º、40º.....120º均可定做,在近距离情况下一般使用角度大一些的红外灯,远距离时才用到小角度的红外灯
红外灯的工作电流主要由内部芯片的大小决定,工作电流越大其辐射强度会越大,其亮度也会增加,本公司常规芯片有10mil 12mil 14mil 16mil,工作电流分别为30ma 60ma 80m,120ma;其耗散功率分别为60MW、100MW、150MW、200MW。
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)(固定极限额定参数)
Parameter | Symbol | Rating | Unit |
Peak Forward Current(峰值电流) | IFP | 1 | A |
Reverse Voltage(反向电压) | VR | 5 | V |
Operating Temperature(工作温度) | Topr | -40 ~ +85 | ℃ |
Storage Temperature(贮存温度) | Tstg | -40 ~ +85 | ℃ |
Soldering Temperature(焊接温度) | Tsol | 260 | ℃ |
Notes:
1. IFP Conditions--Pulse Width≦100μs and Duty≦1%.(峰值电流条件,脉冲宽度≦100μs and Duty≦1%)
2. Soldering time≦5 second@260℃.(焊接条件,小于5秒@260℃)
如有需求请联系-8018,59兴辉光电宋先生
,兴辉光电张先生
所用芯片:台湾鼎元12MIL芯片
我司生产的850红外发射管均采用台湾鼎元等大厂的芯片,成品具有发射距离远,一致性好,品质稳定,寿命长久的特点!并且郑重承诺:如发现我司芯片为假,假一赔十!
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)
Parameter | Symbol | Rating | Unit |
Continuous Forward Current | IF | 50 | mA |
Peak Forward Current | IFP | 1 | A |
Reverse Voltage | VR | 5 | V |
Operating Temperature | Topr | -40 ~ +85 | ℃ |
Storage Temperature | Tstg | -40 ~ +85 | ℃ |
Soldering Temperature | Tsol | 260 | ℃ |
Power Dissipation at25℃Free Air Temperature | Pd | 100 | mW |
Notes:*1:IFPConditions--Pulse Width≦100μs and Duty≦1%.
*2:Soldering time≦5 seconds.
Electro-Optical Characteristics (Ta=25℃)
Parameter | Symbol | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
Radiant Intensity | IE | IF=20mA | 7.8 | 15 | -- | mW/sr |
Radiant Intensity | IE | IF=100mA Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 140 | -- | mW/sr |
Radiant Intensity | IE | IF=1A Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 950 | -- | mW/sr |
Peak Wavelength | λp | IF=20mA | -- | 850 | -- | nm |
Spectrial Bandwidth | Δλ | IF=20mA | -- | 45 | -- | nm |
Forward | VF | IF=20mA |
| 1.45 | 1.65 | V |
Forward | VF | IF=100mA Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 1.8 | 2.40 | V |
Forward Voltage | VF | IF=1A Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 4.1 | 5.25 | V |
Reverse Current | IR | VR=5V | -- | -- | 5 | μA |
View Angle | 2θ1/2 | IF=20mA | -- | 100 | -- | deg |