CT81超高压瓷片电容器：

适用于电子设备中的高压旁路和耦合电路及倍压电路。

主要参数及要求：

1.静电容量           在1KHz（II类）或1MHz（I类）和25℃±2℃，Vrms=1.0v条件下，不超过容量要求。

2.损耗角正切tgδ   Y5P  Y5U  Y5V  D.F.＜2.5%  

                                            Bn  D.F.＜0.5% 

                                            2R  D.F.＜0.1%  

3.绝缘电阻          在DC500V电压下1分钟时，

                         I类（SL  YL）               I.R.≥10000MΩ. 

                         II类（R  BN/D  B/E/F ）I.R.≥4000MΩ. 

4.测试电压           UR＜6KV，Ut=1.5UR+500v  UR≥6kv，ut=1.5*UR