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ON SEMICONDUOR N6N02R2G - 场效应管 MOSFET N 20V
价格：电议
地区：广东 深圳市
电 话：86 755 83971212
传 真：86 755 83971896

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晶体管极性:ñ频道

  • 电流, Id 连续:6.5A
  • 电压, Vds :20V
  • 在电阻RDS（上）:35mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:900mV
  • 功耗, Pd:2W
  • 封装类型:SOIC
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功率, Pd:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:增强
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 表面安装器件:表面安装