名称：分离式半导体产品

分类：FET - 单

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 4.7A, 4.5V

漏极至源极电压(Vdss)：20V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.97A

Id 时的 Vgs(th)（）：1.5V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：12.4nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)：610pF @ 10V

功率 - ：3.2W

安装类型：表面贴装