IRF7413 概述

　　IR的第五代HEXFET功率场效应管IRF7413采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF7413这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF7413成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
　　IRF7413的SO-8封装经过用户化的引脚框架改良，增强了热工特性和复合模性能，使IRF7413成为多种电力应用的理想选择。通过诸如此类的改良，在同一应用中可同时使用多个IRF7413器件，且极大节省了电路板空间。IRF7413的SO-8封装专为气相、红外、或波动焊接技术而设计，在典型的PCB安装应用中，功耗将可能超过0.8W。

IRF7413 参数 IRF7413 基本参数 VDSS   30 V ID@25℃   13 A RDS(on)Max   11 mΩ IRF7413 其他特性 FET极性   N型沟道 Qg Typ   44.0 nC IRF7413 封装与引脚 SO-8

IRF7413 特性

• 第五代工艺
• 超低导通阻抗
• N型沟道 Mosfet
• 贴片安装
• 可选卷带装
• 动态dv/dt率
• 快速转换速率
• 完美的雪崩性能
• 100% R_G测试
• 无铅环保