7A、650V N沟道增强型场效应管
描述：
SVF7N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

特点：
∗ 7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力

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公司简介：深圳富佳维电子有限公司成立于2007 年，主要代理和推广Richtek（立錡）电源IC 和Chingis
(PFlash)（常亿科技）串口IC，Silan(杭州士兰微）MOS 管。
产品广泛用于电脑主板、显卡、平板电脑、安防类、液晶显示器、机顶盒（ DVB-C，DVB-S，DVB-T）、
LED 节能灯、LED 电源，电池充电器、可视电话、手提电脑、仪器仪表、集线器、银行数据设备、电脑周
边产品、安防监控、医疗设备、通讯设备、工业及税控打印设备等。