PWM控制 电源芯片 AP8012 应用于电磁炉与LED驱动
价格:电议
地区:广东 深圳市
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名称型号:电源芯片  AP8012

 

 

品牌:芯朋微

 

 

封装:DIP-8

 





AP8012替换Viper12A应用说明 AP8012可PIN TO PIN替换Viper12A。由于AP8012在个别电参数上与Viper12A存有差异性,所以在某些反激式电源 系统方案上做直接替换需注意到一些系统参数的调整,以优化的方式使用AP8012。 1. 性能参数差异点: 序号 主要区别 AP8012 VIPER12 1 启动电压典型值 DC15.5V DC14.5V 2 关断电压典型值 DC9V DC8V 3 内置MOS管 小值730V,典型值750V 小值730V,典型值800V 4 VCC工作电流典型值 4mA 4.5mA 5 工作频率典型值 55kHz 60kHz 2.应用分析及优化条件: 序号 参数差异分析 需要调整的器件 器件调整值 1 启动电压高对系统应用基本没有影响。 无 2 由于关断电压高,实际应用的时候,在电源空 载的情况下,VCC电源会降低,如果电压降 低到9V以下,会引起芯片当机重启。 变压器 将辅助绕组端的输出电压设置在 12V, 确保空载的时候电压不会低于 9V。 3 内置MOS耐压低,在浪涌、老化、启动、短 路的时侯都会有高压引入,造成MOS击穿。 变压器 RC吸收电路变压器调整参看后面 建议,RC参数建议C=10NF、 R=51K。 4 工作电流少,对系统应用没影响,不做修改。 无 5 工作频率比VIPER低5kHz,所以变压器更容 易 饱和,饱和后的芯 片温度也更高 变压器变压器调整参看后面建议。 变压器参数分析: 为了确保MOS不被击穿,同时变压器不出现饱和现象,我们推荐一下数值: 变压器规格 建议初级圈数 建议感量 建议初级与次级匝比 输出3.3V 输出5V 输出9V 输出12V EE16 140~160T 2.7~3.3mH 16:1 14:1 8:1 6.15:1 EE19 110~130T 2.7~3.3mH 16:1 14:1 8:1 6.15:1 EE20 110~130T 2.7~3.3mH 16:1 14:1 8:1 6.15:1 EE22 100~120T 2.7~3.3mH 16:1 14:1 8:1 6.15:1 EF25 90~110T 2.7~3.3mH 16:1 14:1 8:1 6.15:1 EE28 90~110T 2.7~3.3mH 16:1 14:1 8:1 6.15:1 注:初级的反射电压控制在80V以下。初级线圈略大,漏感会增加,如果漏感能够控制在5%以内,圈数增多也是可 以的。5V和3.3V的匝比是在输出整流管为肖特基管的条件下计算的

 

 

 

 

AP8012

PWM converters

85~265V

0~730V

10V~37V

5W

8W

55KHz

DIP8


AP8022

PWM converters

85~265V

0~730V

9.5V~37V

7W

12W

55KHz

SOP8


AP8263

PWM converters

85~265V

-

10V~27V

25W

30W

Adaptive

SOT23-6L


AP8269

PWM converters

85~265V

-

12V~23V

60W

75W

Adaptive

SOP8