场效应半导体三极管是载流子参与导电的半导体器件

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏极至源极电压(Vdss) 75V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 130A
 
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 7.8 毫欧 @ 78A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 250nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 5600pF @ 25V
 
功率 - 330W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 *IRF1407PBF