新年份2012+深圳公司现货童品牌双N沟道MOS管FDS6982S场效应管
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概述
FDS6982S的目的是取代两个单一的SO-8
MOSFET和肖特基二极管同步DC:DC
提供各种外设电压电源供应器,
为笔记本电脑和其它电池供电的
电子设备。FDS6982S包含两个独特
30V,N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET的
旨在限度地提高功率转换效率
高侧开关(Q1)与特定的设计
强调降低开关损耗,而低
边开关(Q2)进行了优化,以减少传导
的损失。Q2也包括集成肖特基二极管
采用飞兆半导体单片SyncFET技术

特点
Q2:优化,以限度减少传导损耗
  包括SyncFET体二极管肖特基
  8.6A,30VRDS(上)
 =0.016Ω@VGS = 10V
 RDS(
 =0.021Ω@ VGS = 4.5V
Q1:低开关损耗进行优化
 低栅极电荷(8.5nC典型
 6.3A,30VRDS(上)
 =0.028Ω@VGS = 10V
 RDS(
 =0.035Ω@ VGS = 4.5V

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