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        1N4148
         
SWITCHING DIODE  REVERSE VOLTAGE:75 VOLTS 
        CURRENT:0.15 AMPERES 
   FEATURES       
     ·  Silicon epitaxial planar diode             DO-35(GLASS)  
     ·  High speed switching diode      
     ·  500mV power dissipation6, 37, 10, 22, 7, 1, 10, 22
 
 Φ.020(.51)TYP  Φ.079(2.0)MAX 
     ·  These diodes are also available in glass case      
         Mini-MELF,SOD-323,SOT-323      
         
         .150  
   MECHANICAL DATA                  1.083(27.5)TYP   (3.8) 1.083(27.5)TYP
      Case:DO-35,Glass Case               MAX 
      Polarity: Color band denotes cathode     inch(mm)
      Weight: 0.004 ounce,0.13 gram      
         
         
   MAXIMUM RATIONGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
         
   MAXIMUN RATINGS      
ParametersSymbolsValueUNITS
Reverse VoltageVR75V
Peak Reverse VoltageVRM100V
Average Forward Rectified Current Half Wave Rectification with Resistive Load at Tamb=25 ℃ and f≥50HZIo150mA
Forward  Surge CurrentIFSM500mA
Power DissipationPtot5001)mW
Junction TemperatureTJ175
Storage Temperature RangeTsTG-65---+175
         
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS      
ParametersSymbolMINMAXUNITS
Forward Voltage at IF=100mAVF 1V
Leakage Current at VR=20VIR 25nA
                             at VR=75VIR 5μA
                             at VR=20V TJ=150℃IR 50μA
Voltage Rise when Switching ON Tested with 50mA pulses   tp=0.1us.Rise Time<30ns.fp=5 to 100HZVfr 2.5V
Capacitance at VF=VR=0V,f=1MHZCtot 4pF
Reverse Recovery Time=IF=10mA,VR=6V,IR=1mA,RL=100Ωtrr 4ns
Thermal Resistance Junction to AmbientRθJA 3501)K/W
Rectification Efficiency at 100MHZ,VFR=2VnV0.45  
1)     Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature  
         

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