S8050晶体管（NPN）  品牌：长电                          

采用SOT - 23塑料封装晶体管

特征

集电极电流:  Ic=0.5A        芯片标记: J3Y    

额定值（Ta = 25℃除非另有说明）

符号   参数值            单位

VCBO     Collector-Base Voltage    40  V     集电极基电压

VCEO  Collector-Emitter Voltage  25  V    集电极发射极电压

VEBO  Emitter-Base Voltage  5  V             发射极基极电压

IC  Collector Current –Continuous   0.5  A  集电极电流连续

PC  Collector Dissipation   0.3  W               集电极耗散

Tj  Junction Temperature  150  ℃                结温

Tstg  Storage Temperature  -55-150  ℃       储存温度

电气特性

参数      符号    测试条件    数值 （Tamb = 25℃除非另有说明）

Collector-base breakdown voltage    V(BR)CBO  IC= 100μA, IE=0    40V    集电极基极击穿电压

Collector-emitter breakdown voltage    V(BR)CEO IC=1mA, IB=0    25V 集电极发射极击穿电压

Emitter-base breakdown voltage  V(BR)EBO  IE=100μA, IC=0     5V 发射极基极击穿电压

Collector cut-off current      ICBO  VCB=40 V ,    IE=0   0.1  μA   集电极截止电流

Collector cut-off current      ICEO  VCB=20V ,  IE=0   0.1  μA       集电极截止电流

Emitter cut-off current      IEBO VEB= 5V ,      IC=0   0.1  μA  发射极截止电流

DC current gain  直流电流增益

HFE(1)   VCE=1V,  IC= 50mA  120-350 

HFE(2)   VCE=1V,  IC= 500mA  50      

Collector-emitter saturation voltage  VCE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA   0.6V 集电极发射极饱和电压

Base-emitter saturation voltage  VBE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA     1.2V   基极发射极饱和电压

Transition  frequency（ fT）      VCE=6V,  IC= 20mA   f=30MHz    150MHz   转换频率

放大倍数范围： 120-200（L）   200-350（H）

SOT-23    脚位：

1．  基极   2.发射极   3．  集电极