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Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:IGBT Transistors 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Package / Case:TO-3P 
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V 
Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V 
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.1 V 
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V 
Continuous Collector Current Ic Max:80 A 
Gate-Emitter Leakage Current:+/- 100 nA 
Power Dissipation:195 W 
Packaging:TUBE 
Configuration:Single 

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