供应德国ZEISS AURIGA双聚焦离子束FIB电镜
价格:电议
地区:上海 浦东新区
电 话:86-021-60589358
手 机:18602158828
传 真:86-021-61303508

FIB技术主要利用液态金属离子源作为高电流密度的离子枪,其小离子束直径可达几个纳米。因此可在纳米水平上进行快速、准确的刻蚀纳米加工。同时,利用配置的气体注入系统(GIS),可以对样品进行纳米尺度的金属、绝缘体沉积,并可以对金属、绝缘体材料进行选择性腐蚀,因此在对集成电路进行改性、制备纳米量子器件、纳米集成电路,如单电子量子开关、纳米场效应管,准一维纳米结构的量子输运研究,及剖析微器件的横截面、透射电镜样品的制备等半导体、介观物理研究领域,具有广泛的应用。简单综合起来,FIB主要具有以下强大功能:

(1)对微器件进行减薄、剥蚀等解剖分析,

利用高电流密度的离子枪,可对微小样品进行纵深切割、定向钻孔。因此可对微器件,尤其是微器件,如磁头、计算机芯片等进行剖析;

利用选择性腐蚀技术,选择性地腐蚀金属或绝缘体,增加器件结构的衬度,便于微器件的剖析;

对集成电路进行改性(IC modification);

快速、高效地制备微器件的横截面的透射电镜样品,该技术是目前其它截面电镜样品制备技术所无法比拟的;

(2)纳米加工(Nano Lithography):

利用纳米离子束进行金属、绝缘体的沉积,生成导电极片(conductive pads),进行迹线连接 (connecting traces),结合选择性腐蚀技术,可制备纳米器件,如单电子量子开关,纳米场效应二极管;量子点的制备;量子线的制备及其量子输运特性研究,及微机械结构(Micro- electromechanical structures, MEMS)的加工等。

ZEISS公司新推出的新一代聚焦离子束电子显微镜AURIGA是一台高灵活性的CrossBeam工作站,它可以由客户自主选择应用目的。

独特的成像能力

  • 在有局部电荷中和器的条件下,可以使用所有的标准探测器进行非导体样品的成像
  • 在一个包括EsB技术的独特探测器设计中,可同时探测形貌和组分信息。
  • 具有GEMINI物镜设计,可进行磁性样品的研究

先进的分析能力

  • 具有局部电荷中和器,可进行非导体材料的分析
  • 具有15个附属接口的多用途样品室
  • 的样品室几何设计,可同时安装EDS,EBSD,STEM,WDS,SIMS等附属设备

的处理能力

  • 创新的FIB技术,具有别的分辨率
  • 在FE-SEM实时监控整个样品制备的过程中,具有高的分辨率
  • 先进的气体处理技术,用于离子束和电子束的辅助刻蚀和沉积

客户自主选择和未来的可扩展性

  • 基于一种全面的模块化的理念,AURIGATM CrossBeam?工作站可以由客户自行进行选择,以满足其今天以及未来的个性化应用。
  • 从一个高性能的FE-SEM平台出发,这个系统伴随着广泛的可选的硬件和软件品种而升级,如:FIB,GIS,局部电荷中和系统和不同的探测器

 

 

AURIGATM基本规格

 

SEM

FIB

分辨率

GEMINI镜筒

1.0nm @15kV

1.9nm @1kV

Cobra column:<2.5nm @ 30kV

Canion column:<7nm @ 30kV

放大倍数

12X—1000kx

300x—500kx

束流

4pA—20nA(80nA可选)

1pA—50nA

加速电压

0.1—30kV

1.0—30kV

发射源

热场发射

Ga液态金属离子源(LMIS)

气体注入系统

a) 5通道气体注入器(Pt,C,W, l2,F,要求的其他气体)

b) 带有集成式局部电荷中和器系统的4通道气体注入器(可以使用所有的标准探测器)

c) 单通道气体注入器系统(Pt或要求的其他气体)

d) 全自动和气动式可伸缩其他注入器(即局部电荷中和器)(可以使用所有的标准探测器)

探测器

Ln-lens型:高效环形二次电子探测器

样品室型:E-T二次电子探测器

Ln-column型:带有过滤栅网的用于背散射电子探测的EsB探测器,栅网电压0—1500V

样品室型:基于闪烁体/光电倍增系统的组合式二次电子二次离子探测器(SESI),固体式或闪烁体式BSE探测器

GEMINI?多模式BF/DF STEM探测器