FNKS08N60AL MOS管
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产品属性
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针对逆变器应用的MOSFET的要求包括：
特定的导通电阻（RSP）应该较小，来减少导通损耗。器件到器件的RDSON变化应该较小，这有两个目的：在逆变器输出端的DC分量较少，且该RDSON可以用于电流检测来控制异常状况（主要在低压逆变器中）；对于相同的RDSON，低RSP可以减少晶圆尺寸，从而降低成本。
当晶圆尺寸减小时，可以使用非箝位感应开关（UIS）。应该采用良好的UIS来设计MOSFET单元结构，且不能有太多的让步。通常，对于相同的晶圆尺寸，相比平面MOSFET，现代沟槽MOSFET具有良好的UIS。薄晶圆减小了热阻（RthJC），在这种情况下，较低的品质因数（FOM）可以表示为RSP×RthJC/UIS。3.良好的安全工作区（SOA）和较低的跨导。
会有少量栅漏电容（CGD）（米勒电荷），但CGD/CGS比必须低。适度高的CGD可以帮助减少EMI。极低的CGD增加了dv/dt，并因此增加了EMI。低CGD/CGS比降低了击穿的可能性。这些逆变器不在高频下工作，因而允许栅极ESR有少许增加。因为这些逆变器工作在中等频率上，所以可以允许有稍高的CGD和CGS。
即使在该应用中工作频率已较低，但降低COSS有助于减少开关损耗。同时也允许稍微增大COSS。
开关期间的COSS和CGD突变会引起栅极振荡和较高过冲，长时间后将有可能损坏栅极。这种情况下，高源漏dv/dt会成为问题。
高栅极阈值电压（VTH）可以实现更好的抗噪性和更好的MOSFET并联。VTH应该超过3V。
体二极管恢复：需要具有低反向恢复电荷（QRR）和低反向恢复时间（tRR）的更软、更快的体二级管。同时，软度因子S（Tb/Ta）应大于1。这将减小体二极管恢复dv/dt及逆变器直通的可能性。活跃的体二极管会引起击穿和高压尖峰问题。
在某些情况下，需要高（IDM）脉冲漏极电流能力来提供高（ISC）短路电流抗扰度、高输出滤波器充电电流和高电机起动电流。
通过控制MOSFET的开通和关断、dv/dt和di/dt，可控制EMI。
通过在晶圆上使用更多的丝焊来减少共源电感。
在快速体二极管MOSFET中，体二极管的电荷生命周期缩短，因而使得tRR和QRR减小，这导致带体二极管的MOSFET与外延二极管相似。该特性使得该MOSFET成为针对各种不同应用的高频逆变器（包括太阳能逆变器）的选择。至于逆变器桥臂，二极管由于无功电流而被迫正向导通，这使得它的特性更为重要。常规MOSFET体二极管通常具有长反向恢复时间和高QRR。如果在负载电流从二极管向逆变器桥臂的互补MOSFET转换的过程中，体二极管被迫正向导通了，那么在tRR的整个时间段，电源将被抽走很大的电流。这增加了MOSFET中的功率耗散，且降低了效率。而效率是非常重要的，尤其是对于太阳能逆变器而言。
活跃体二极管还会引入瞬时直通状况，例如，当其在高dv/dt下恢复，米勒电容中的位移电流能够对栅极充电到VTH以上，同时互补MOSFET会试图导通。这可能引起总线电压的瞬时短路，增加功率耗散并导致MOSFET失效。为避免此现象，可连接外部的SiC或常规硅二极管与MOSFET反向并联。因为MOSFET体二极管的正向电压较低，肖特基二极管必须与MOSFET串联连接。另外，还必须在MOSFET与肖特基二极管组合的两端跨接反并联SiC。当MOSFET反偏时，外部SiC二极管导通，并且串接的肖特基二极管不允许MOSFET体二极管导通。这种方案在太阳能逆变器中已经变得非常普及，可以提高效率，但却增加了成本。
飞兆半导体采用FRFET的UniFET II MOSFET器件是一种高压MOSFET技术功率器件，适合以上所列应用。与UniFET MOSFET相比，由于RSP减小，UniFET II器件的晶圆尺寸也减小，这有助于改进体二极管恢复特性。这种器件目前有两个版本：具有较好体二极管的F型FRFET器件，和具有市场上QRR和tRR的U型Ultra FRFET MOSFET。Ultra FRFET型可以省去逆变器桥臂中的SiC和肖特基二极管，同时达到相同的效率并降低成本。在这种情况下，QRR已经从3100nC减少到260nC，并且二极管开关损耗也显著降低。
特定的导通电阻（RSP）应该较小，来减少导通损耗。器件到器件的RDSON变化应该较小，这有两个目的：在逆变器输出端的DC分量较少，且该RDSON可以用于电流检测来控制异常状况（主要在低压逆变器中）；对于相同的RDSON，低RSP可以减少晶圆尺寸，从而降低成本。
当晶圆尺寸减小时，可以使用非箝位感应开关（UIS）。应该采用良好的UIS来设计MOSFET单元结构，且不能有太多的让步。通常，对于相同的晶圆尺寸，相比平面MOSFET，现代沟槽MOSFET具有良好的UIS。薄晶圆减小了热阻（RthJC），在这种情况下，较低的品质因数（FOM）可以表示为RSP×RthJC/UIS。3.良好的安全工作区（SOA）和较低的跨导。
会有少量栅漏电容（CGD）（米勒电荷），但CGD/CGS比必须低。适度高的CGD可以帮助减少EMI。极低的CGD增加了dv/dt，并因此增加了EMI。低CGD/CGS比降低了击穿的可能性。这些逆变器不在高频下工作，因而允许栅极ESR有少许增加。因为这些逆变器工作在中等频率上，所以可以允许有稍高的CGD和CGS。
即使在该应用中工作频率已较低，但降低COSS有助于减少开关损耗。同时也允许稍微增大COSS。
开关期间的COSS和CGD突变会引起栅极振荡和较高过冲，长时间后将有可能损坏栅极。这种情况下，高源漏dv/dt会成为问题。
高栅极阈值电压（VTH）可以实现更好的抗噪性和更好的MOSFET并联。VTH应该超过3V。
体二极管恢复：需要具有低反向恢复电荷（QRR）和低反向恢复时间（tRR）的更软、更快的体二级管。同时，软度因子S（Tb/Ta）应大于1。这将减小体二极管恢复dv/dt及逆变器直通的可能性。活跃的体二极管会引起击穿和高压尖峰问题。
在某些情况下，需要高（IDM）脉冲漏极电流能力来提供高（ISC）短路电流抗扰度、高输出滤波器充电电流和高电机起动电流。
通过控制MOSFET的开通和关断、dv/dt和di/dt，可控制EMI。
通过在晶圆上使用更多的丝焊来减少共源电感。
在快速体二极管MOSFET中，体二极管的电荷生命周期缩短，因而使得tRR和QRR减小，这导致带体二极管的MOSFET与外延二极管相似。该特性使得该MOSFET成为针对各种不同应用的高频逆变器（包括太阳能逆变器）的选择。至于逆变器桥臂，二极管由于无功电流而被迫正向导通，这使得它的特性更为重要。常规MOSFET体二极管通常具有长反向恢复时间和高QRR。如果在负载电流从二极管向逆变器桥臂的互补MOSFET转换的过程中，体二极管被迫正向导通了，那么在tRR的整个时间段，电源将被抽走很大的电流。这增加了MOSFET中的功率耗散，且降低了效率。而效率是非常重要的，尤其是对于太阳能逆变器而言。
活跃体二极管还会引入瞬时直通状况，例如，当其在高dv/dt下恢复，米勒电容中的位移电流能够对栅极充电到VTH以上，同时互补MOSFET会试图导通。这可能引起总线电压的瞬时短路，增加功率耗散并导致MOSFET失效。为避免此现象，可连接外部的SiC或常规硅二极管与MOSFET反向并联。因为MOSFET体二极管的正向电压较低，肖特基二极管必须与MOSFET串联连接。另外，还必须在MOSFET与肖特基二极管组合的两端跨接反并联SiC。当MOSFET反偏时，外部SiC二极管导通，并且串接的肖特基二极管不允许MOSFET体二极管导通。这种方案在太阳能逆变器中已经变得非常普及，可以提高效率，但却增加了成本。
飞兆半导体采用FRFET的UniFET II MOSFET器件是一种高压MOSFET技术功率器件，适合以上所列应用。与UniFET MOSFET相比，由于RSP减小，UniFET II器件的晶圆尺寸也减小，这有助于改进体二极管恢复特性。这种器件目前有两个版本：具有较好体二极管的F型FRFET器件，和具有市场上QRR和tRR的U型Ultra FRFET MOSFET。Ultra FRFET型可以省去逆变器桥臂中的SiC和肖特基二极管，同时达到相同的效率并降低成本。在这种情况下，QRR已经从3100nC减少到260nC，并且二极管开关损耗也显著降低。