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mjd350 硅功率晶体管
价格:
电议
地区:
广东 深圳市
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86 0755 88363316
传 真:
86
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产品属性
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mjd350
制造商
:
ON Semiconductor
产品种类
:
Transistors Bipolar (BJT)
RoHS
:
否
晶体管极性
:
PNP
集电极—发射极电压 VCEO
:
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
:
3 V
直流电集电极电流
:
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
:
30 at 50 mA at 10 V
配置
:
Single
工作温度
:
+ 150 C
安装风格
:
SMD/SMT
封装 / 箱体
:
TO-252-3 (DPAK)
封装
:
Tube
集电极连续电流
:
0.5 A
小工作温度
:
- 65 C
功率耗散
:
15 W
工厂包装数量
:
75
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