代理TriQuint 6W 离散大功率氮化镓（GaN）HEML TGF2023-01
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产品属性
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代理TriQuint 6W离散大功率 氮化镓（GaN）在SiC HEMT TGF2023-01
深圳立维创展是Triquint国内代理，是Triquint全系列微波产品的供应商！代理销售Triquint全系列高可靠性射频微波元器件。
依托加拿大分公司交通枢纽的便利，以及与北美生产厂家多年的合作关系，除公司已有的20,000余条原装库存，还有可靠的欧美库存资源可供调剂。可为国内科研院校、制造单位提供具价格优势的高可靠性电子元器件。
产品外观：
基本参数：(不建议用于新设计)
l 频率范围：直流到18 GHz
l 38 dBm的额定PSAT在3 GHz
l 66％PAE
l 18 dB的额定功率增益为3 GHz
l 补偿：VD = 28 -32 V，IDQ = 125 mA时，VG = -3.6 V典型
l 工艺：0.25微米碳化硅功率GaN
l 芯片尺寸：0.82 x 0.66 x 0.10毫米
应用领域：
l 宽带无线
l 军事
其他参数：
产品描述：
TriQuint公司TGF2023-01是一个离散的1.25毫米甘SiCHEMT经营从DC至18 GHz。部分设计使用TriQuint的成熟的0.25微米GaN的生产过程。这个过程具有先进的场板技术，高漏极偏置操作条件优化微波功率和效率。
该设备通常提供38 dBm的饱和输出功率为3 GHz的功率增益为18 dB。的功率附加效率为66％，这使得的TGF2023的01适当高效率的应用程序。该器件是无铅和RoHS标准。
更多型号：
T1G-FS
TGF4124
TGF2960-SD
TGF2961-SD
TGF4118
T1G-Q3
T1G-Q3
T1G-FS
TGF4112
TGF4250-SCC
TGF4260-SCC
TGF4230-SCC
TGF4240-SCC
TGF2021-01
TGF2021-02
TGF2021-04
TGF2021-08
TGF2021-12
TGF1350-SCC
TGF2023-01
TGF2023-02
TGF2023-10
TGF2023-20
TGF2022-06
TGF2022-12
TriQuint半导体公司采用砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、声表面波(SAW)和体声波(BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足客户需求。专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN，WiMAX，GPS，国防与航空等领域的客户提供各种服务。
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