一、系统用途：
　　设备主要制备单层膜、多层膜和多组份的金属膜、合金膜、氧化物薄膜等。
　　二、技术指标：：
　　1.结构：一个主溅射室，一个为进样室；
　　2.主溅射室：极限真空度6.7×10-8Pa，工作真空度6.7×10-7Pa；烘烤12小时，停烘烤开离子泵12小时后达到；分子泵满速2小时后真空度达到1.2×10-4Pa；3.0小时后真空度达到8×10-5Pa；8小时后真空度达到3×10-5Pa；当真空度优于2×10-4Pa时；开离子泵（此时分子泵也在工作）4小时后达到 1×10-6Pa，系统漏率：1×10-8PaL/S；
　　3.进样室：极限真空度5.0×10-6Pa；经10小时烘烤（烘烤方式：烘烤带加热）；分子泵满速2小时后真空度达到1.2×10-4Pa；3小时后真空度达到8×10-5Pa；4小时后真空度达到6×10-5Pa；系统漏率1×10-7PaL/S；
　　4.溅射室烘烤：采用外加热带烘烤除气方式，烘烤温度：150℃；
　　5.蒸发镀膜时样品架实现自转，自转转速为0～50转/分；
　　6.钼蒸发舟两组四个（容积25ml），也可以采用钨绞线缠绕铝丝进行蒸镀的方式；加热电源两套，加热功率：3Kw；
　　7.用磁控溅射镀制样品时公转的速度：0.05～5转/分，相对360度的控制要小于1%，角0.01度，在某一恒定速度时的速度均匀性优于2%。
　　三、系统组成：
　　该设备主要由真空抽气、真空室、工件架、磁控靶及电源、充气、控制等部分组成。