场效应管　SI4166DY-T1-GE3
　　型号：SI4166DY-T1-GE3
　　晶体管极性：N-Channel
　　汲极源极击穿电压：30V
　　闸源击穿电压：＋/-20　V
　　漏极连续电流：20.5A
　　电阻汲极源极RDS（导通）：0.0045　Ohms
　　配置：Single　Quad　Drain　Triple　Source
　　工作温度：﹢150C
　　安装风格：SMD/SMT
　　封装/箱体：SOIC-8　Narrow
　　下降时间：15ns
　　正向跨导gFS（值/小值）：65S
　　小工作温度：﹣55°C
　　功率耗散：3W
　　上升时间：19ns
　　工厂包装数量：2500PCS/盘
　　典型关闭延迟时间：35ns
　　零件号别名：SI4166DY-GE3
　　本公司长期供应　SI4166DY-T1-GE3
　　郑重承诺：保证原装，假一赔十！