平面溅射阴极
　　特点：
　　1、采用独特的磁路设计，突破传统模式，更符合磁控溅射的理念。
　　2、采用独特的结构设计，可以内置、外置，更符合使用要求。
　　3、更高的溅射率，离子密度更强。
　　4、更高的利用率，高达40%以上。
　　5、尺寸范围：300-3000mm区间，保持一致的均匀性
　　6、使用范围：如TI、AL、NI、CR、AZO、ITO等
　　应用领域：
　　半导体、MEMS、TFT、ITO、LOW-E玻璃、硬质涂层、装饰性膜层。