合能阳光提供母合金类型：
　　HSD-P3碎块状
　　母合金P型-3次方 0.0010-0.0090Ω。cm以下，碎块状，碳含量（atom/cm3）<5e16，氧含量（atom/cm3）<1e18，具体每段将详细标出，确保每段电阻率偏差在0.001或0.0005范围内
　　HSD-P3整棒状
　　母合金 P型-3次方 0.0010-0.0090Ω。cm以下，整棒状，碳含量（atom/cm3）<5e16，氧含量（atom/cm3）<1e18，具体每段将详细标出，确保每段电阻率偏差在0.001或0.0005范围内
　　HSD-P3片状
　　母合金 P型-3次方 0.0010-0.0090Ω。cm以下，片状，碳含量（atom/cm3）<5e16，氧含量（atom/cm3）<1e18，具体每段将详细标出，确保每段电阻率偏差在0.001或0.0005范围内。
　　
　　母合金掺杂的计算方法
　　■电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M
　　■应掺母合金重量为M＝W*C头/（K*C母—C头），其中K为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数
　　掺杂的几个重要参数
　　■单晶的型号（N还是P）
　　■拉制硅单晶的目标电阻率；以P型为例，一般要求范围为0.5~3，选择1.6~2.5的目标阻值基本不会跑阻，可根据实际情况和需要调整
　　■原料的电阻率（要求）
　　■母合金的杂质浓度
　　■所掺杂质的分凝系数
　　我们的产品-拉单晶掺杂剂母合金
　　■本公司生产提供各种各种高品质的母合金，包括以下品种
　　■硅单晶P型10的-3次方母合金
　　■硅单晶P型10的-2次方母合金
　　■硅单晶N型10的-3次方母合金
　　■硅单晶N型10的-2次方母合金。