大功率IGBT全参数自动测试系统
　　我公司科研人员经过连续技术攻关，在原有YB6500高端半导体分立器件自动测试系统基础上，自行研发出国内首台IGBT测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题，填补了国内在半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标达到国际水平。
　　
　　目前我公司提供的该项新产品采用模块式功放结构，主极电流400A/500A/1000A/1250A可选，2500A/5000A选项可以根据用户需要定制。
　　该产品可测IGBT参数包括了ICES，BVCES，IGESF，IGESR，VGETH，VGEON，VCESAT，ICON，VF，GFS，r　CE等全直流参数，所有小电流指标保证1%重复测试，大电流指标保证0.5%以内重复测试，达到目前国外进口同类产品水平。
　　
　　（1）需要YB550选件
　　（2）需要栅极80V选件
　　
　　该产品可针对目前封装的多单元IGBT特征，根据用户需要提供4/8/20单元扫描测试适配器，从而实现多单元封装器件的性全参数测试。与进口专用测试系统相比，该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试，具有更高的使用效率。与国外同类产品相比，该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质售后服务。　

其他说明

电参数名称	电压范围	电流范围	分辨率
ICES    IGESF IGESR	0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)(2)	100nA(100pA)(1) - 50mA 100nA(100pA)(1)- 3A	1nA(50pA)(1)	1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)(1)
BVCES	0.1V-1000V- 1400V - 1600V	100μA - 200mA    -100mA           -50mA	5mV	1%+100mV
VGETH	0.10V- 20.0V(80V)(2)	100nA- 3A	5mV	1%+10mV
VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合参数)	VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE,VF: 0.10V - 9.99V	IC: 10μA-1250A        - 1250A IGE,IF:   100nA - 10A	5mV	V: 1%+10mV IC,IF:  1%+100nA IGE: 1%+5nA