电子IGBT测试仪
价格:电议
地区:陕西省 西安市
传 真:86-29-88238933
主极电压:2000V,
主极电流:50A 加选件可扩展到:400A,500A,800 A,1000 A,1250A.(用户自选)
控制极电压:20V 加选件可扩展到:80V
控制极电流:10A 加选件可扩展到:40A
电压分辨率:1mV
电流分辨率:1nA(加YB550分辨率为10pA
测试速度:1mS/参数(本系统采用填入式编程方法,专为国内用户开发)
可测试参数:
绝缘栅双极大功率晶体管IGBT
ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;VGEON;VF;GFS
晶体管 TRANSISTOR
ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEV;IEBO;BVCEO(电流大于10mA,脉冲宽度300us);BVCBO;BVEBO;hFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE(间接参数);
J型场效应管J-FET
IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;IDSS;IDSON;RDSON;GFS;VGSOFF
MOS场效应管 MOS-FET
IDSS;IDSV;IGSSF;IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;VGSTH;VDSON、VF(VSD)、IDON;VGSON;RDSON;GFS
双向可控硅开关器件(双向晶闸管)TRIAC
IDRM;IRRM;IGKO;;VD+;VD-;BVGKO;VT+;VT-;IGT;VGT;IL+;IL-;IH+;IH-
单向可控硅整流器(普通晶闸管)SCR
IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;IGT;VGT;IL;IH